當(dāng)前位置:復(fù)納科學(xué)儀器(上海)有限公司>>VSParticle>> VSP-G1VSParticle 納米粒子發(fā)生器
獲得不同組分的納米材料是納米研究的關(guān)鍵,利用VSP-G1配合不同的電極可以產(chǎn)生雙金屬、納米合金或在塊狀狀態(tài)下不混溶的材料等粒子?;鸹g可以在放電通道產(chǎn)生高達(dá)20000K的瞬時(shí)高溫,足以克服塊體材料的宏觀不溶性,產(chǎn)生更多的材料可能性。混合兩個(gè)純電極或使用合金電極可以通過成分控制調(diào)整材料組分。類似地,通過并聯(lián)或串聯(lián)運(yùn)行兩個(gè) VSP-G1,每個(gè) VSP-G1 使用不同的電極材料,最終產(chǎn)生分層結(jié)構(gòu)的材料(例如,分層結(jié)構(gòu)、核-殼或異質(zhì)結(jié)構(gòu))
VSP-G1 最有價(jià)值的一點(diǎn)是能夠調(diào)整所生產(chǎn)納米粒子的平均粒徑。這是通過改變氣體流速來實(shí)現(xiàn)的,當(dāng)然這會(huì)影響納米顆粒在反應(yīng)器內(nèi)的停留時(shí)間。 較低的流速通過為初級(jí)顆粒提供更多的時(shí)間來凝并,從而導(dǎo)致較大的平均粒徑,而較快的流速可產(chǎn)生較小的顆粒。根據(jù)準(zhǔn)備的樣品類型(例如 TEM 網(wǎng)格或多孔涂層),還可以調(diào)整總功率以改變產(chǎn)率。更高的電壓/電流組合帶來更高的燒蝕率和更大的顆粒。 氣溶膠技術(shù)區(qū)別與其它真空氣相技術(shù)的最大特點(diǎn)便是在常壓下利用氣體有效影響納米顆粒的生長(zhǎng)與傳輸過程。
采用模塊化設(shè)計(jì),VSP-G1 納米粒子發(fā)生器可輕松與沉積裝置結(jié)合使用,以制備先進(jìn)的納米材料?;跀U(kuò)散、過濾或沖擊技術(shù),有不同的沉積模塊可用。